氮化硅基板半導(dǎo)體功率模塊是電力電子領(lǐng)域中最重要的功率器件之一，應(yīng)用于電動汽車、軌道交通等領(lǐng)域。其中，用于封裝功率模塊的覆銅基板是不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，而覆銅基板中的絕緣層通常是陶瓷材料。目前，市場上主要流行使用的覆銅陶瓷基板材料有兩種：Al2O3和AlN。 在覆銅過程中，因?yàn)榻饘巽~和陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)有較大的差別，所以在高溫條件下的覆銅之后，容易在在陶瓷基板中產(chǎn)生較大的附加熱應(yīng)力。并且，由于電